CUS1_ProgramingTool.pdf - 第73页
1-60 1 「搜索」选项卡 托盘参数 晶片托盘的「搜索」选项卡 66138-S1-00 A: 当前搜索方向 指定元件的搜索方向。 1. 未使用的晶片时，指定「初始 ( 右 )」等有“初始”文字的方向。 2. 已用完部分晶片时，指定「向右」等没有“初始”文字的方向。 B: 搜索切换方向 元件搜索作业中，当元件中心超出由晶片直径计算出的圆周时，需切换搜索方向。搜索的切换方向必须与搜索方向垂直。 搜索方向、搜索切换方向 因超出公差范…
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· 蜂窝状
使用蜂窝状托盘用料架时选择。
· 分布图
使用晶片分布图时选择。
C: 晶片搜索直径 (mm)
输入晶片的搜索直径。
以此搜索直径所构成的圆为基准，查找元件时只有元件中心进入此圆内的晶片才是查找对象。
D: 晶片环直径
输入晶片料架的环状部分 ( 扩展盘指它的环状部分 ) 的内径。
此内径用于防止推顶器装置和环状部分相碰撞的计算。但，因机器会自动判断料架类型，所以会比较各料架类型的规定值与
此晶片环直径，采用其中较小的值。
晶片搜索直径、晶片环直径
晶片搜索直径
晶片环直径
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E: 晶片角度 (deg)
输入晶片的切片线与晶片轴之间的角度。利用相机进行测量时，使用 [ 角度示教 ] 按钮。
F、G:元件间距 X、Y(mm)
输入元件以多少 mm 的间隔排列。
如使用相机进行测量时，按 [ 间距示教 ] 按钮。以下图为例作简单说明。
2.将光标对准始点的元件中心，按 [ 始点 ] 按钮。
3.将光标对准终点的元件中心，按 [ 终点 ] 按钮。
由此，元件间距便会自动输入。
H: 料架号码
指定从收纳柜的第几号料架开始吸附元件。一般输入在「料架号码开始」中设置的数值。此数值会随使用的料架同步自动更新，
因此可以确认当前正在使用第几号料架。
I: 元件识别用标记
指定为检出元件中心用的标记数据的号码。
J: 元件标记重新执行
如有些元件无法执行为检出元件中心的识别时，可以指定需连续不停地跳过多少个此类元件。
K: 坏板标记识别用标记
指定为检出元件上的坏板标记用的标记数据号码。坏板标记的识别，以在元件识别中检出的中心位置为基准进行。
L: 坏板标记重新执行
指定需连续不停地跳过多少已检出坏板标记的元件。
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「搜索」选项卡
托盘参数
晶片托盘的「搜索」选项卡
66138-S1-00
A: 当前搜索方向
指定元件的搜索方向。
1.未使用的晶片时，指定「初始 ( 右 )」等有“初始”文字的方向。
2.已用完部分晶片时，指定「向右」等没有“初始”文字的方向。
B: 搜索切换方向
元件搜索作业中，当元件中心超出由晶片直径计算出的圆周时，需切换搜索方向。搜索的切换方向必须与搜索方向垂直。
搜索方向、搜索切换方向
因超出公差范围，被判定为NG。
向左开始搜索
因元件的中心已经偏离晶片的
搜索直径，因此不再进行扫描，
而是向上方切换搜索方向。
搜索开始坐标
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C、D:搜索当前 X 坐标、搜索当前 Y 坐标 (mm)
输入开始搜索元件的坐标。也可以通过示教输入。
通过示教输入的坐标值是从晶片中心开始的坐标。从「搜索方向」和「搜索切换方向」可以决定要在此进行示教的晶片位置。
例如 :「搜索方向」为「初始 ( 右 )」、「搜索切换方向」为「向上」时，则对左下位置进行示教。
E、F:元件个数 X、Y
使用晶片阵列信息 (「基本」选项卡画面中「晶片阵列」为「无」以外 ) 时，指定行列数。
G、H:目前计数 X、Y
指定搜索元件的计数值。以贴片机正面左下角为计数值 (1，1) 开始计数。
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「吸料」选项卡
托盘参数
晶片托盘的「吸料」选项卡
66139-S1-00
A: 吸料高度 (mm)
指定吸料高度 ( 按入量 )。一般设置为 0.00mm。
吸料时，晶片头在以下高度吸料。
WTCHead 吸料位置晶片头上下 (LP) 轴坐标＋吸料高度－料带厚度－元件厚度＋ WTCHead 偏移量＋吸嘴厚度。
B: 吸料计时 (sec)
指定从上推轴 (LU 轴 ) 到达指定高度后，到晶片头上下轴 (LP) 开始上升，其间停止等待的时间计时。
以 0.05 秒为单位，最大可设置到 0.75 秒。
C、D:吸料上升速度、吸料下降速度 (%)
指定吸料时晶片吸附头的下降和上升速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
E、F:Head 低级别、Head 高级别 (%)
输入吸料及传料时晶片吸附头的移动判断值。Head 低级别，指晶片吸附头在吸附元件时如真空级别已上升至设定值，则判断
为已吸附元件，便开始移动。Head 高级别，指传料时如晶片吸附头吸料时的真空级别已下降至设定值，则判断为已放下元件，
便开始移动。
G: 料带厚度 (mm)
输入切片料带的厚度 (0.00 〜 2.55)。
H: 上推高度 (mm)
设置晶片吸附头从晶片吸附元件时，顶针 ( 上推顶针 ) 需上升的高度 (-30.00 〜 30.00)。
I、J:LU 轴上升速度、LU 轴下降速度 (%)
设置顶针 ( 上推顶针 ) 的上升及下降速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
K: LU 轴下降时机 (mm)
设置晶片吸附头从晶片吸附元件后上升过程中，使上推轴 (LU 轴 ) 开始下降的 LP 轴的上升量。
从理论上来说，晶片吸附头从料带剥离元件时的 LP 轴位置，进一步上升至在此所设置的上升量时，顶针 ( 上推顶针 ) 开始
下降。单位为 (mm)，向上为“＋”值。