CUS1_ProgramingTool.pdf - 第75页
1-62 1 「传料站」选项卡 托盘参数 晶片托盘的「传料站」选项卡 66140-S1-00 A: 倒置 选择正置贴装还是倒置贴装。如设置为「执行」 ，直接在 Head 间传递元件进行正置贴装。如设置为「不执行」 ，则与传料站 相关的项目有效，可进行倒置贴装。 B: 传料高度 (mm) 设置晶片吸附头将元件传递至传料站时 LP 轴的高度。向下为“＋”值。 传料时，晶片吸附头在下列高度吸料。 传料站位置晶片头上下 (LP) 轴…
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「吸料」选项卡
托盘参数
晶片托盘的「吸料」选项卡
66139-S1-00
A: 吸料高度 (mm)
指定吸料高度 ( 按入量 )。一般设置为 0.00mm。
吸料时，晶片头在以下高度吸料。
WTCHead 吸料位置晶片头上下 (LP) 轴坐标＋吸料高度－料带厚度－元件厚度＋ WTCHead 偏移量＋吸嘴厚度。
B: 吸料计时 (sec)
指定从上推轴 (LU 轴 ) 到达指定高度后，到晶片头上下轴 (LP) 开始上升，其间停止等待的时间计时。
以 0.05 秒为单位，最大可设置到 0.75 秒。
C、D:吸料上升速度、吸料下降速度 (%)
指定吸料时晶片吸附头的下降和上升速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
E、F:Head 低级别、Head 高级别 (%)
输入吸料及传料时晶片吸附头的移动判断值。Head 低级别，指晶片吸附头在吸附元件时如真空级别已上升至设定值，则判断
为已吸附元件，便开始移动。Head 高级别，指传料时如晶片吸附头吸料时的真空级别已下降至设定值，则判断为已放下元件，
便开始移动。
G: 料带厚度 (mm)
输入切片料带的厚度 (0.00 〜 2.55)。
H: 上推高度 (mm)
设置晶片吸附头从晶片吸附元件时，顶针 ( 上推顶针 ) 需上升的高度 (-30.00 〜 30.00)。
I、J:LU 轴上升速度、LU 轴下降速度 (%)
设置顶针 ( 上推顶针 ) 的上升及下降速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
K: LU 轴下降时机 (mm)
设置晶片吸附头从晶片吸附元件后上升过程中，使上推轴 (LU 轴 ) 开始下降的 LP 轴的上升量。
从理论上来说，晶片吸附头从料带剥离元件时的 LP 轴位置，进一步上升至在此所设置的上升量时，顶针 ( 上推顶针 ) 开始
下降。单位为 (mm)，向上为“＋”值。
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「传料站」选项卡
托盘参数
晶片托盘的「传料站」选项卡
66140-S1-00
A: 倒置
选择正置贴装还是倒置贴装。如设置为「执行」，直接在 Head 间传递元件进行正置贴装。如设置为「不执行」，则与传料站
相关的项目有效，可进行倒置贴装。
B: 传料高度 (mm)
设置晶片吸附头将元件传递至传料站时 LP 轴的高度。向下为“＋”值。
传料时，晶片吸附头在下列高度吸料。
传料站位置晶片头上下 (LP) 轴坐标＋传料高度－元件厚度＋ WTCHead 偏移量＋吸嘴厚度。
C: 传料计时 (sec)
设置传料时，当达到 Head 负压高级别以下，传料站负压低级别以上的条件后，到晶片吸附头上下轴 (LP 轴 ) 开始上升之前，
晶片吸附头需停止等待的时间 (0.00 〜 0.75 秒 )。
D、E:传料上升速度、传料下降速度 (%)
设置传送传料站的元件时的下降及上升速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
F: 传料站低级别 (%)
向贴片机贴装头供给元件时，负压必须降至低于在此指定的级别。一般设置在 30% 左右。
G: 传料站高级别 (%)
指晶片头上下轴 (LP 轴 ) 到达传料高度后，在传料计时器开始计时之前，负压必须升至高于在此指定的级别。一般设置在
30% 左右。
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「选项」选项卡
托盘参数
晶片托盘的「选项」选项卡
66141-S1-00
C: 转轴速度 (%)
设置晶片吸附头的转动速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
D: 传送小车轴速度 (%)
设置晶片吸附头往返晶片托盘交换器和传料站之间的移动速度。以 10% 为单位设置，最大设定值为 100%。
E: 使用位置校正标记
设置是否使用晶片位置校正。此功能，是根据位置校正标记的理论位置与识别后的实际位置之间的偏差值来校正搜索位置的
功能。
· 不使用
不使用此功能。
· 搜索方向复位后
只有搜索方向复位后安装各层料架时使用。
· 柜门开关后
只有柜门打开和关闭后安装各层料架时使用。
· 每 次
每次安装料架时使用。
F、G:位置校正标记 1、位置校正标记 2
指定用于位置校正的标记数据的号码。
H、I:位置校正标记 1X 坐标、位置校正标记 1Y 坐标
指定坐标位置校正标记的 X 坐标，即晶片中心开始的坐标。
J、K:位置校正标记 2X 坐标、位置校正标记 2Y 坐标
指定坐标位置校正标记的 Y 坐标，即晶片中心开始的坐标。