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第 1 部 基本篇 第 4 章 制作生产程序 4- 69 输入示例 识别 中心偏移 （ 0,0 ）时 识别中心 偏移 （ 5, -2 ）时 + a b : ：吸取中心位置 + ：元件中心 位置 ( a 、 b) ＝（ 5 ， -2 ） 吸取中心位置＝ VC S 的中心位置 + + -Y 方向 +X 方向 ： VCS 的 视野 （俯视图）
第 1 部 基本篇 第 4 章 制作生产程序
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2) 图像定心时
选择定心选项卡，即显示如下画面。
① 吸嘴号
② 元件吸取真空压
与 「（ 1）激光定心时」的设置相同。
③ 识别中心偏移量
图像定心是通过将吸取中心位置(通常是元件中心位置)移动到 VCS 的中心位置来进行。但像
MCM(Multi Chip Module)之类的元件，因不能吸取元件中心，如果超出 VCS 视野范围时，将不
能进行图像定心。此时，可通过输入下一页示例的偏移值(a、b)，使之正常进行识别。
④ 夹式吸嘴数据
与 「（ 1）激光定心时」的设置相同。
⑤ S-VCS
进行 S-VCS 识别设置。
第 1 部 基本篇 第 4 章 制作生产程序
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输入示例
识别中心偏移（0,0）时 识别中心偏移（5,-2）时
+
a
b
:
：吸取中心位置
+ ：元件中心位置
(a、b)＝（5，-2
）
吸取中心位置＝VCS 的中心位置
+
+
-Y 方向
+X 方向
：
VCS 的视野
（俯视图）
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（4）吸取条件
吸取条件是关于吸取的设置项目，由于应用默认值，通常无需变更。
如果在默认值的状态下不能正常吸取时，请变更设置。
注意
如果在变更吸取条件后变更了基本部分的项目，吸取条件的值
有可能被重新设置为默认值。
1) 吸取高度补偿
是指元件吸取时的按入量。
当设置为“0”时，因元件尺寸(高度)偏差等的影响，吸嘴到达不了元件，无法吸取元件或发生芯片
站立等现象。出现这种情况时，请增加吸嘴到达元件的高度补偿量(输入正值)。
初始值为 “0.2mm” (0603、0402为0mm)。
2) 重试次数
设置在生产中发生吸取失败时再次吸取的次数。
当生产过程中发生重试超限时，以黄色信号灯闪烁发出通知｡