PDN设计之电源完整性 (史密斯).pdf - 第435页
第 10 章 PDN 设计的 实 用 方法 419 提 示 在时 间 刻 度 上 , 以中 频 带 频率范 围 进行 抽样 , 这里的 PDN 阻 抗曲 线 是 相 当平坦 的 , 阶跃瞬 时 电 流 的电 压响 应 看起 来就 像一个 DC 偏 离 。 这 不 是 IR 压 降 , 而 是 阶跃电 流 通过这 个 平坦 阻 抗曲 线 产 生的 。 印制 板 电 容 器 的 ESR 随 时 间 对 这 个 电 压 降的 响 应是 相 当…

418
PDN
设计之电源完整性
:
高速数字产品的鲁棒和高效设计
ADS
1.10
(
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)
出出
O N d
0.80
IT
1.00
J
1.05
0.95
0.90
0.85
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
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65
70
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85
90
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100
0.75
0
5
0.80
ADS
1.10
1.05
时间
(
ns
)
1
1PND
m4l
Tiijite
—
1
56.2nii
imp_500..circuits=0.937
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时间
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1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
时间
(
即
)
图
10-34
原来三峰
PDN
的时域阶跃响应与改进的
PDN
之间的比较
。
顶部图
:
我们看到了
封装电容器在大约
15rls
时对
Bandini
山的改善
;
印制板电容器的改进在大约
150ns
处
,
见中间图
;
VRM
模型改进在大约
2Pts
处
,
显示在底部图上

第
10
章
PDN
设计的实用方法
419
提示
在时间刻度上
,
以中频带频率范围进行抽样
,
这里的
PDN
阻抗曲线是相当平坦
的
,
阶跃瞬时电流的电压响应看起来就像一个
DC
偏离
。
这不是
IR
压降
,
而是
阶跃电流通过这个平坦阻抗曲线产生的
。
印制板电容器的
ESR
随时间对这个电压降的响应是相当平坦的
。
在
3
〜
30MHz
的频带
内
,
PDN
阻抗是相当平坦的
,
但是不太满足基于
5%
电压容差的目标阻抗
。
不用惊讶
,
在
50
〜
500ns
的时间窗内
,
电压大于
50mV
(
5%
)
下垂
。
如果我们能够完美地实现
PDN
阻抗正好
在目标阻抗内
,
那么在长时间内
,
我们应该预期阶跃电流的电压响应正好低于电压容差
。
底部图形显示来自合适阻尼下
VRM
的第三下垂改善
。
系统现在在
130kHz
时过阻尼
,
所
以没有振铃
。
在
L5ps
处有稍微下垂
,
这是
VRM
预期的典型时域性能
。
电容器的
ESR
和印
制板电容器之间的谐振设置了
PDN
阻抗
,
一直到几个毫秒处
,
这里由
VRM
调整器回路接管
。
对于
IV
的初始电压
,
长期电压固定有
10AX3.
lmQ
=
31mV
的降低
,
这是
DC
IR
压
降
。
电压轨迹的厚度主要是来自时钟边缘噪声
。
在
PDN
上
,
直流电源损耗是
312mV
。
正
如
PRC
的第
61
和
62
行所显示那样
。
图
10
-
35
所示为伴随泵电流的阶跃负载电流的响应
。
因为有片上电容和泵回路电感,
所以这个泵电流是负载电流低通滤波版本
。
与三峰
PDN
相比
,
改进的
PDN
有较快的电流
斜升
,
因为有较小的泵回路电感
。
因为
V
〃较大所以
,
有较大的击/山
(
小信号
、
斜率
)
。
电流曲线也显示为较高的谐振频率
。
与原来的三峰
PDN
相比
,
改进的
PDN
增加了阻尼
。
阶跃响应已经得到改善
,
从
218mV
下降到
186mV
。
图
10-36
所示为改进
PDN
和原来三峰
PDN
的谐振响应间的比较
。
初始的下垂与阶跃
响应的相同
。
随着时间的推移
,
来自负载电流周期之间叠加形成的
PDN
响应
,
建立起来了
峰-峰值电压
。
在改进
PDN
中最大下垂是
285mV,
原来三峰
PDN
的下垂是
480mV
。
虽然
这是实质性的改善
,
但这个下垂仍旧是
5
倍目标阻抗规定的电压容差
。
对实际的
PDN,
我
ind
Delta=l
.465E-8
dep
Delta=-0.186
Min,
Delta
Mode
ON
mlO
Time=5.000ps
Circuites=0.997
m_3peak
ind
Delta=1.566E-8
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Delta=-0.218
Min,
Delta
Mode
ON
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原来的
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45
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60
65
70
75
80
85
90
95
100
时间
(
ns
)
图
10-35
原来的三峰
PDN
和改进
PDN
的泵分支电路的电流阶跃响应和伴随的电压响应

420
PDN
设计之电源完整性
:
高速数字产品的鲁棒和高效设计
改进后的
PND
65
70
75
80
85
90
95
100
60
3(
)
25
0
5
10
15
20
—
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—
50
I
45
I
40
5
I
3
时间
(
ns
)
图
10-35
(
续
)
m_3peak
ind
Delta=8.365E-8
dep
Delta=-0.480
Min,
Delta
Mode
ON
0.6
mlO
Time=5.000ps
Circuites=0.997
mimproved
ind
Delta=7.617E
dep
Delta=-0.285
Min,
Delta
Mode
ON
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
ADS
1.6
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20
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30
35
40
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50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
时间
(
ns
)
图
10-36
改进
PDN
(
封装电容器
、
印制板电容器
、
VRM
阻尼
)
的谐振响应
。
我们使用
开关电容器负载实现重复的
8A
瞬时电流
们已经做了很多
,
如果仍旧需要改进
,
那么我们看看还可以有什么其他可做的
。