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5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S 120 多功能晶圆单元使用说明书 d. 在 Seek Template Editor 中， 设定查找线的读取区 域。 备注 ) 读取区域请设定生产晶片尺寸的 3 倍以上的数值。因为要对应读取位置的偏移。 5. 登录生产晶片的类型。 a. 请从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。 b. 选 择 [Shape Proc ess]-[Die]。 c. 将 [Vision…

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INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑
多功能晶圆单元使用说明书 119
5.8.1 设定方法
以下说明运用邻近参考晶片参照功能时的设定方法。
1. 请在手动模式中执行影像取得指令。取得 Product Die 和 Reference Die 的影像。
2. 使用辅助软件取得影像。
备注 ) 以上的详细操作请参照 "8.5.2 影像获取 "。
3. 请启动 Job 编制器。
4. 登录参考定位点。
a. 从 [Mark data] 标签页中选择 [Ref. Die Mark]。
b. 将 [Pattern for Ref. Fie Mark] 的项目设定为 [Multipurpose]。
c. 在 [Mark Data Wizard] 的项目中单击 [ 按下 ]。Seek Template Editor 被启动。
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5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S
120 多功能晶圆单元使用说明书
d. 在 Seek Template Editor 中，设定查找线的读取区域。
备注 ) 读取区域请设定生产晶片尺寸的 3 倍以上的数值。因为要对应读取位置的偏移。
5. 登录生产晶片的类型。
a. 请从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Shape Process]-[Die]。
c. 将 [Vision Type] 的项目设定为 [18]。
d. 在 [Surface Pattern Info] 的项目中点击 [Click Here]。Seek Template Editor 被
启动。
e. 在 Seek Template Editor 中，设定查找线。
6. 设定有无晶圆图表。
a. 从 [Package Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Package Process]。
c. 将 [Use Wafer Map] 的项目设定为 [Yes]。
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7. 设定参考晶片的位置指定方法。
a. 从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Shape Process]-[Die]。
c. 将 [Ref. Die Pos Type] 的项目设定为 [WaferMap]。
d. 在 [Ref. Die Pos Info By WafeMap] 的项目中点击 [ 按下 ]。
e. 指定已登录的参考定位点名。
之后，请设定邻近参考晶片的参照方法。
设定邻近参考晶片的参照方法
邻近参考晶片的参照方法有以下 3 种。
·手动设定参考晶片的参照范围 (Process Times)
·自动设定参考晶片的参照范围 (Ref. Pitch)
·不参考参考晶片 (No Check)
无论哪种设定，都需要打开 Shape Data 进行设定。
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