多功能晶圆单元使用说明书.pdf - 第139页
INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑 多功能晶圆单元使用说明书 125 5.8.2 补充信息 关于不同设定时的 MWU 动作 根据 [Shape Process] 的设定，MWU 的动作如下变化。 将参考晶片指 定方法 (Ref. Die Pos Type ) 设定为 [ WaferMap] 以外 的时候 将参考晶片指 定方法 (Ref. Die Pos Type ) 设定为 [ WaferMap] 的时 候 Re…
5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S
124 多功能晶圆单元使用说明书
进行不参照参考晶片的设定
因为要使用的晶圆图表不符合邻近参考晶片参照功能的条件，在不参照参考晶片时，请进
行以下的设定。
a. 请选择 [Shape Process]-[Die]。
b. 将 [Ref. Die Check Mode] 的项目设定为 [No Check]。
c. 为了防止因位置偏移而吸取相邻的晶片，请进行以下的设定。
·[Process Times]: 请设定进行影像处理的晶片的间隔。
·[Do Stop When Over Process Times]: 请设定为 [Yes]。
备注 ) 超出 [Process Times] 中所设定的间隔进行影像处理时，机器就会中断生产。
注意 ) 如果没有被进行此处的设定，机器就会贴装相邻列的晶片，继续生产。
01NST-2081E
01NST-2082E
INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑
多功能晶圆单元使用说明书 125
5.8.2 补充信息
关于不同设定时的 MWU 动作
根据 [Shape Process] 的设定，MWU 的动作如下变化。
将参考晶片指定方法 (Ref. Die Pos Type) 设定为 [WaferMap] 以外的时候
将参考晶片指定方法 (Ref. Die Pos Type) 设定为 [WaferMap] 的时候
Ref. Die
Check
Mode
Process
Times
Do Stop when
Over Pro
-
cess Times
动作
-
0-
不参照邻近参考晶片。
不进行定期影像处理。
0以外
No
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
即使超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象
晶片时，也继续生产。
Yes
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象晶片
时，中断生产，进行吸取开始位置确认。
Ref. Die
Check
Mode
Process
Times
Do Stop when
Over Pro
-
cess Times
动作
No
Check
0-
不参照邻近参考晶片。
不进行定期影像处理。
0以外
No
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
即使超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象
晶片时，也继续生产。
Yes
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象晶片
时，中断生产，进行吸取开始位置确认。
Process
Times
0-
不参照邻近参考晶片。
不进行定期影像处理。
0以外 -
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象晶片
时，参照所设定的范围内的邻近参考晶片。
Ref.
Pitch
0-
不进行定期影像处理。
超出参考晶片间隔而找到吸取对象晶片时，参照参考晶片
间隔的范围内的邻近参考晶片。
0以外 -
按照 Process Times 中所设定的间隔，进行定期影像处
理。
即使超出 Process Times 中所设定的间隔而找到吸取对象
晶片时，也继续生产。（所设定的间隔小于参考晶片间隔
的情况）
超出参考晶片间隔而找到吸取对象晶片时，参照参考晶片
间隔的范围内的邻近参考晶片。
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126 多功能晶圆单元使用说明书
邻近参考晶片参照失败时
运用了邻近参考晶片参照功能的时候，如果处在以下的状态时，机器就会中断生产，并且
显示元件补充向导。
a. 邻近参考晶片的影像处理失败
b. 不参照邻近参考晶片，直接超出了
Process Times 中所设定的间隔
备注 ) 如果 Shape Data 的 [Do Stop when Over Process Times] 的项目被设定为 [No]，则
不参照参考晶片，机器继续生产。
请进行以下的操作，重新开始运转。
1. 在按下 OK 按钮之后，请打开门，完成元件补充。
2. 请按下 SUPPLY CPLT 按钮。
3. 吸取开始点指定画面被显示。请一边看着实时影像，调整到开始吸取的晶片处在中央，
按下 NEXT 按钮。
备注 )关于吸取开始点指定的操作，请参照 "6.5.3 指定吸取开始点 "。
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