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5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S 78 多功能晶圆单元使用说明书 Push Up Wait Time (0 ～ 2000) 设定顶起销上升后的停止时间 ( 单位：ms) (*) 在 Push Up Parameter Mode 中，如果选择了 [Manual] 后，还显示以下的项目。 Push Up Height (0.0 ～ 1.5) 设定通过顶起销顶起 晶片的高度 Speed Change Height (…

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INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑
多功能晶圆单元使用说明书 77
8. 请点击 [Shape Process] 标签页内的 [Die] 标签页，设定以下的项目。
项目名 值 说明
[Geeric]
Use Shuttle (Auto/Yes/No) 设定是否使用往复臂。
A: 自动判定 （长边为 5mm 以下时，直接
供应。超出 5mm 时，往复臂供应）
Y: 往复臂供应
N: 直接供应
Shuttle Name （手工输入） 往复臂衬垫的指定
Shuttle Seed (Standard/Mid/Low) 往复臂速度
Collet Name （通过选择项选择） 顶起销的配置类型
( 参照 "5.3.2 补充信息 ")
Do Flip （Yes/No） 设定是否进行晶片的翻转供应
Wafer Size （通过选择项选择） 晶圆直径 ( 请对照生产中使用的晶片进行
选择。MWU8i 时，请指定 8 inch 以下。)
Ref. Die Pos
Type
(Matrix/
Coordinate/
WaferMap)
设定是否按照 Matrix、坐标或晶圆图表
进行参考晶片的位置指定。
Ref. Die Pos
Info By Matrix
[Ref. Die Pos Type]
为 Matrix 时，显示
[Exist value]。
[Ref. Die Pos Type] 项为 Matrix 的时
候，因为在数值栏显示 [Exist value]，
所以请左击 [Exist value]，设定参考晶
片的详细内容。
[Ref. Die Pos Type]
为 Coodinate 时，为
空白。
[Ref. Die Pos Type] 项为 Coodinate 的
时候，数值栏为空白。请左击空白栏，设
定参考晶片的坐标位置。
Reference
Operator Check
（Yes/No） Yes: 与参考影像处理处理的结果无关，
由操作者进行确认。
No: 在以下的条件下操作者不必进行确
认。
[Ref. Die Pos Type] 为 [Matrix] 或者
[Coordinate]，并且相邻设定为
[Adjoin=Yes] 的时候。
First Pickup
Pos Check
（Yes/No） 进行元件补充后的晶片吸取位置确认时，
设定 Yes。
[Pressure Pin]
Push Up
Parameter Mode
(Auto/Manual) 指定顶起参数的设定方法。
指定了 [Auto] 时，只显示以下的 [Push
Up Wait Time]。
01NST-0784Ea
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Push Up Wait
Time
(0 ～ 2000) 设定顶起销上升后的停止时间
( 单位：ms)
(*) 在 Push Up Parameter Mode 中，如果选择了 [Manual] 后，还显示以下的项目。
Push Up Height (0.0 ～ 1.5) 设定通过顶起销顶起晶片的高度
Speed Change
Height
(0.00 ～ 1.50) 设定顶起参数的切换高度
1st. Lift Speed (Standard/Low1/
Low2/Low3/Low4)
指定速度切换之前的加速度
2nd. Lift Speed (Standard/Low1/
Low2/Low3/Low4)
指定速度切换之后的加速度
Low1 Rate (70 ～ 99) 设定相对于通常速度的比率 (99 ～ 70%)
Low2 Rate (40 ～ 69) 设定相对于通常速度的比率 (40 ～ 69%)
Low3 Rate (20 ～ 39) 设定相对于通常速度的比率 (20 ～ 39%)
Low4 Rate (1 ～ 19) 设定相对于通常速度的比率 (1 ～ 19%)
[Nozzle]
Name （通过选择项选择） 以别名指定从 PP 吸嘴更换器上所吸取的
吸嘴
[Pick]
Offset X (-1.50 ～ 1.50) 设定 PP 工作头吸取晶片时的 X 方向修正
值 （单位：mm）
Offset Y (-1.50 ～ 1.50) 设定 PP 工作头吸取晶片时的 Y 方向修正
值 （单位：mm）
Offset Z (-2.00 ～ 2.00) 设定 PP 工作头吸取晶片时的 Z 方向修正
值 （单位：mm）
(*) 设定了 Offset X、Y、Z 后，根据吸取位置的修正，顶起销的顶起位置也会进行
修正。
Pickup Wait
Time
(0 ～ 2000) 晶片吸取时的在下降端的停止时间 （单
位：ms）
[Place]
Do Place Check (Yes/No) 如果进行 PP 工作头的元件带回确认，则
设定 Yes。
[Vision]
Vision Type （手工输入） 指定在处理 MWU 侧的元件相机从晶片上面
所拍摄的影像时的算法
如果晶片的形状是四边形时，指定 60。
Lighting (Back/FrontA/
FrontB/FrontAB)
晶片吸取时的影像处理光源类型
Shutter Speed (0.000 ～ 1000.000) 晶片吸取时的影像处理的快门速度
Surface
Pattern Info
编辑从 Top 面看到的晶片的图形
(*) 请选择 Surface Pattern Info，并且将查找线的个数设定为 40 以下。
Vision Process
Pattern
(Auto/All Die/PP
First/Custom)
设定晶片吸取时的影像处理类型
( 参照 "5.3.2 补充信息 ")
Process Times (0 ～ 2000) 按照这里指定个数进行晶片的影像处理，
并且反映到位置补正中。
( 参照 "5.3.2 补充信息 ")
项目名 值 说明
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创建 Bad Mark 数据时的注意事项
如果设定了大于 Bad Mark 的扫描区域，就不能正确地进行 Bad Mark 判定。请将扫描区域设
定在 Bad Mark 内。
使用手动指令取得影像后，就能够确认是否能够正确地识别 Bad Mark。关于影像获取指令，
请参照 "8.5.2 影像获取 "。
Top View
Lighting Color
(Red/Blue) 指定检查晶片时的影像处理用光源的颜色
Top View
Lighting
Pattern
(Incident+Sideligh
t/Incident/
Sidelight)
指定检查晶片时的影像处理用光源的类型
[Error]
Vision Error
Recovery Times
(0 ～ 99) 设定晶片吸取前发生影像处理错误时的补
件次数
[Bad Mark]
Color (Black/White) 指定晶片的 bad mark 的颜色。
Read Level (0 ～ 256) 设定晶片的 bad mark 的明暗判定的 CCD
等级。
Position X, Y (-12.700 ～ 12.700
mm)
设定晶片的 bad mark 的坐标 (X，Y)。
Scan Area X, Y (0.000 ～ 25.400
mm)
设定晶片的 bad mark 的扫描区域 (X，
Y)。
Do Check when
using Wafer Map
(Yes/No) 使用晶圆图表时如果进行 bad mark 的识
别，则设定 Yes。
项目名 值 说明
01NST-1996S
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