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5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S 122 多功能晶圆单元使用说明书 手动设定参考晶片的参照范围 a. 请 选择 [Shape Pr ocess]-[Die]。 b. 将 [Ref. Die Chec k Mode] 的项 目设定为 [Proc ess Times]。 c. 在 [Process Times ] 的项目中，设 定晶片的间隔。 备注 ) 1.将 [Process Times] 设定为 [4] 后，检…

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INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑
多功能晶圆单元使用说明书 121
7. 设定参考晶片的位置指定方法。
a. 从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Shape Process]-[Die]。
c. 将 [Ref. Die Pos Type] 的项目设定为 [WaferMap]。
d. 在 [Ref. Die Pos Info By WafeMap] 的项目中点击 [ 按下 ]。
e. 指定已登录的参考定位点名。
之后，请设定邻近参考晶片的参照方法。
设定邻近参考晶片的参照方法
邻近参考晶片的参照方法有以下 3 种。
·手动设定参考晶片的参照范围 (Process Times)
·自动设定参考晶片的参照范围 (Ref. Pitch)
·不参考参考晶片 (No Check)
无论哪种设定，都需要打开 Shape Data 进行设定。
01NST-2074E
01NST-2075E
5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S
122 多功能晶圆单元使用说明书
手动设定参考晶片的参照范围
a. 请选择 [Shape Process]-[Die]。
b. 将 [Ref. Die Check Mode] 的项目设定为 [Process Times]。
c. 在 [Process Times] 的项目中，设定晶片的间隔。
备注 ) 1.将 [Process Times] 设定为 [4] 后，检查范围如下图所示。当影像处理范围外的参
考晶片时，有可能发生位置偏移。
2.参照离要吸取的晶片最近的参考晶片，进行吸取位置的补正。
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自动设定参考晶片的参照范围
a. 请选择 [Shape Process]-[Die]。
b. 将 [Ref. Die Check Mode] 的项目设定为 [Ref.Pitch]。
备注 ) 1.按照晶圆图表上所配置的参考晶片的间隔，自动决定检查范围。图表上的参考晶片
的最大间隔为 [6] 时，检查范围变成下图。如果影像处理范围外的参考晶片，就有
可能发生位置偏移。
2.参照离要吸取的晶片最近的参考晶片，进行吸取位置的补正。
01NST-2079E
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