多功能晶圆单元使用说明书.pdf - 第135页
INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑 多功能晶圆单元使用说明书 121 7. 设定参考晶片的位置指定方法。 a. 从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。 b. 选 择 [Shape Proce ss]-[Die]。 c. 将 [Ref. Die Pos Type] 的项目 设定为 [WaferMap] 。 d. 在 [Ref. Die Pos Info By WafeMap] 的项目中点击 [ 按下 …
5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S
120 多功能晶圆单元使用说明书
d. 在 Seek Template Editor 中，设定查找线的读取区域。
备注 ) 读取区域请设定生产晶片尺寸的 3 倍以上的数值。因为要对应读取位置的偏移。
5. 登录生产晶片的类型。
a. 请从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Shape Process]-[Die]。
c. 将 [Vision Type] 的项目设定为 [18]。
d. 在 [Surface Pattern Info] 的项目中点击 [Click Here]。Seek Template Editor 被
启动。
e. 在 Seek Template Editor 中，设定查找线。
6. 设定有无晶圆图表。
a. 从 [Package Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Package Process]。
c. 将 [Use Wafer Map] 的项目设定为 [Yes]。
01NST-2071E
01NST-2072E
01NST-2073E
INS-NXTMWU-4.2S 5. Job 的设定和编辑
多功能晶圆单元使用说明书 121
7. 设定参考晶片的位置指定方法。
a. 从 [Shape Data] 标签页中选择对象元件。
b. 选择 [Shape Process]-[Die]。
c. 将 [Ref. Die Pos Type] 的项目设定为 [WaferMap]。
d. 在 [Ref. Die Pos Info By WafeMap] 的项目中点击 [ 按下 ]。
e. 指定已登录的参考定位点名。
之后，请设定邻近参考晶片的参照方法。
设定邻近参考晶片的参照方法
邻近参考晶片的参照方法有以下 3 种。
·手动设定参考晶片的参照范围 (Process Times)
·自动设定参考晶片的参照范围 (Ref. Pitch)
·不参考参考晶片 (No Check)
无论哪种设定，都需要打开 Shape Data 进行设定。
01NST-2074E
01NST-2075E
5. Job 的设定和编辑 INS-NXTMWU-4.2S
122 多功能晶圆单元使用说明书
手动设定参考晶片的参照范围
a. 请选择 [Shape Process]-[Die]。
b. 将 [Ref. Die Check Mode] 的项目设定为 [Process Times]。
c. 在 [Process Times] 的项目中，设定晶片的间隔。
备注 ) 1.将 [Process Times] 设定为 [4] 后，检查范围如下图所示。当影像处理范围外的参
考晶片时，有可能发生位置偏移。
2.参照离要吸取的晶片最近的参考晶片，进行吸取位置的补正。
01NST-2076E
01NST-2077E
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