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12 Wafer-Stretcher 12.2 Detaillierter Ablauf des Prozesses "Wafer-Stretching" Serviceanleitung SIPLACE Wafer System (SWS) 11/2018 277 Abb.373: ● Wenn die Pipette das Die berührt, haftet das Die aufgrund des an…

12 Wafer-Stretcher
12.2 Detaillierter Ablauf des Prozesses "Wafer-Stretching"
276 Serviceanleitung SIPLACE Wafer System (SWS) 11/2018
Abb.371:
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Nun fährt die Z-Achse der Flip-Einheit nach unten.
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Die Kamera (C) erkennt das Die immer noch eindeutig.
Abb.372:
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Nun fährt die Flip-Einheit mit der Pipette nach unten, bis die Pipette die Die-Oberfläche be-
rührt.
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Ebenso hat die Kappe der Die-Ejector-Einheit Kontakt zur Waferfolien-Unterseite, und somit
zur Die-Unterfläche.

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12.2 Detaillierter Ablauf des Prozesses "Wafer-Stretching"
Serviceanleitung SIPLACE Wafer System (SWS) 11/2018 277
Abb.373:
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Wenn die Pipette das Die berührt, haftet das Die aufgrund des anliegenden Vakuums an der
Pipette.
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Nun fährt die Die-Ejector-Nadel nach oben und hebt das Die von der Folie ab.
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Die Z-Achse der Flip-Unit fährt nun synchron zum Ausstech-Prozess der Die-Ejector-Nadel
nach oben.
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Das Die wird durch das Vakuum an der Pipette gehalten.
Abb.374:
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Das Die löst sich komplett von der Waferfolie.
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Die Z-Achse der Flip-Einheit fährt ganz nach oben und die Weiterverarbeitung des abgeholten
Bauteiles durch die CA-Maschine findet statt.

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Abb.375:
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Die Nadel des Die-Ejectors wird eingefahren.
Abb.376:
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Der Die-Ejector wird zurück in den Basisrahmen (BASE) gefahren.